技术编号:6762637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成用于半导体装置的导电线的方法,尤其涉及一种使用碳纳米管来形成用于半导体装置的导电线的方法。本发明也涉及使用该方法制造的半导体装置。背景技术 现在有很多不同种类的半导体装置,尤其是一些半导体存储器,如DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器,动态RAM),SRAM(静态RAM),PRAM(Phase-change RAM,相变RAM)以及MRAM(Magnetic RAM,磁性RAM)。在这些半...
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