技术编号：6763650
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置，特别涉及数据的写入方式。背景技术 图8所示为以往的SRAM的电路。同图中，多个存储器单元100(同图中只表示出2个)在横向以及纵向呈阵列状配置。各个存储器单元100分别与字线WL、位线对(BIT、NBIT)相连接。上述各存储器单元100的构成如图7所示，由与所定电源VDD相连的2个负载用晶体管MP1、MP2、与接地电源VSS相连的2个驱动用晶体管MN1、MN2和2个变换用晶体管MN3、MN4所构成。上述2个变换用晶体管MN3、...
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