技术编号:6764435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。由串联在第一电源和第二电源之间的第一P型MOS晶体管(MP1)和第二P型MOS晶体管(MP2)构成每一列上的存储单元电源电路(20),存储单元电源输出第一P型MOS晶体管(MP1)和第二P型MOS晶体管(MP2)的接点电压。基于列选择信号和写入控制信号生成的控制信号输入第一P型MOS晶体管(MP1)的栅极端子,输入第一P型MOS晶体管(MP1)的栅极端子的信号的反相信号输入第二P型MOS晶体管(MP2)的栅极端子。专利说明半导体存储装置[0001]本发明涉...
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