技术编号:6764575
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种向自旋矩磁电阻随机存取存储器写入的写入驱动器最小化选择的列中未选择(关)的字线选择晶体管的亚阈值泄漏。在位线和/或源极线中的有效金属电阻减少而电源抗噪声能力增加。写入驱动器偏置信号与全局偏置信号隔离,并且使用第一NMOS跟随器电路或第一PMOS跟随器电路中的一个在位线的一端施加第一电压。分别使用第二或第三PMOS跟随器电路或第二或第三NMOS跟随器电路在源极线的相对端施加第二电压。专利说明写入驱动器电路和写入自旋矩MRAM的方法[0001] 本申请要求...
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