技术编号:6764788
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种。一示例存储器件可以包括衬底;在衬底上形成的背栅;晶体管,包括在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍;以及在衬底上形成的栅堆叠,所述栅堆叠与鳍相交;以及夹于背栅与各鳍之间以及背栅与衬底之间的背栅介质层,其中,在栅堆叠的一侧,背栅介质层存在开口,背栅通过该开口与鳍电接触。专利说明 [0001] 本公开涉及半导体领域,更具体地,涉及一种。 背景技术 [0002] 当前提出了各种基于半导体技术的存储器件如动态随机存取存储器(DRAM)。例 如...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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