技术编号：6766261
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种基于阻性存储器的多位存储结构，所述多位存储结构包括依次同向叠放的N个阻性存储单元，每两个相邻叠放的阻性存储单元之间间隔一层导电的金属薄膜；每个阻性存储单元具有高阻态HRS和低阻态LRS两种状态，所述整个多位存储结构具有N+1个阻值状态，对应N+1个存储状态，其中所述N大于等于2。本发明还提供了一种基于上述多位存储结构的读写操作方法。本发明通过同向叠放多个阻性存储单元，组成了多位存储结构，从而在提高RRAM存储器密度的同时也保证了RRAM存储...
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