技术编号:6766266
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种,该电可擦可编程只读存储器的位线分为两组,每组分别于不同金属层走线,两不同金属层间用较短的走线和过孔进行连接,通过本发明,可减小位线间的耦合电容,提高存储器的速度,减小浪费。专利说明[0001]本发明关于一种半导体存储器件,特别是涉及一种。背景技术[0002]在半导体存储装置中,电可擦可编程只读存储器(EEPROM)是一种易失性存储器,且属于可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory,...
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