电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法

电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法
【专利摘要】本发明公开一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法，该电可擦可编程只读存储器的位线分为两组，每组分别于不同金属层走线，两不同金属层间用较短的走线和过孔进行连接，通过本发明，可减小位线间的耦合电容，提高存储器的速度，减小浪费。
【专利说明】电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法
【技术领域】
[0001]本发明关于一种半导体存储器件，特别是涉及一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法。
【背景技术】
[0002]在半导体存储装置中，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)是一种易失性存储器，且属于可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory,EPROM)。电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的优点是其可针对整个存储器区块进行擦除，且擦除速度快，约需一至两秒。因此，近年来，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)已运用于各种消费性电子产品中，例如:数码相机、数码摄影机、移动电话或笔记本电脑等。
[0003]现有技术中，一般EEPROM的字线和位线在走线时相互垂直，为了走线的便利，EEPROM的位线即存储器单元的源极S、漏极D的走线均在同一层金属如M1，如图1所示，这样位线间耦合较大，会引起EEPROM读写速度降低和功耗浪费，严重时甚至会导致读写错误。

【发明内容】

[0004]为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法，其通过将位线分组，使不同组的位线在不同金属层走线，和存储器电接触点不同金属层的走线通过一段与存储器电接触点同层的较短的走线和过孔与本走线相连，减小了位线间的耦合电容，提高了存储器的读写速度和可靠性，减小了功率浪费。
[0005]为达上述及其它目的，本发明提供了 一种电可擦可编程只读存储器，其中，该电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别于不同金属层走线，与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。
[0006]进一步地，该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。
[0007]进一步地，该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。
[0008]进一步地，该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极
[0009]为达到上述目的，本发明还提供一种电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，包括如下步骤:
[0010]将电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别在不同的金属层走线.[0011]与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。
[0012]进一步地，将该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。
[0013]进一步地，该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。
[0014]进一步地，该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极
[0015]与现有技术相比，本发明一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法通过将位线分组，使不同组的位线在不同金属层走线，和存储器电接触点不同金属层的走线通过一段与存储器电接触点同层的较短的走线和过孔与本走线相连，减小了位线间的耦合电容，提高了存储器的读写速度和可靠性，减小了功率浪费。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]图1为现有技术中一种EEROM之位线布线的结构示意图；
[0017]图2为本发明一种EEROM之位线布线的结构示意图；
[0018]图3为本发明一种EEPROM的位线布线方法的步骤流程图。
【具体实施方式】
[0019]以下通过特定的具体实例并结合【专利附图】

【附图说明】本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
[0020]图2为本发明一种EEROM之位线布线的结构示意图。如图2所示，本发明一种电可擦可编程只读存储器(EER0M)，包括两组位线，其中一组位线走线放在一层金属层M1，另一组位线的走线在另一层金属层，如M2，该组位线通过过孔与放在金属层Ml的很短的走线和存储器电接触点相连。在本发明较佳实施例中，将EEPROM的位线按按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线(漏极D)走线放在一层金属如M1，而偶数编号的位线(源极S)走线放在另一层如M2，仅在金属层Ml用很短的走线(记长度为d)和过孔连接至位于金属层M2的偶数编号的位线(源极S)，如图2中，横向是字线(WLO，WLl，…WL j )，纵向是位线(BLO，BLl,…BLi, BL(i+l))。
[0021]记存储器相邻单元垂直间隔距离为1，走线间隔距离为S，走线宽度为W。现有技术相邻单元走线间耦合电容为C，根据平板电容计算公式，电容C和I成正比、和S成反比。而在本发明较佳实施例中，在金属层Ml只有长度为d的一段区域存在相邻位线的耦合。根据
图中漏极D和源极S的物理位置，简单推算可知发明相邻位线耦合电容大小为原来的
【权利要求】
1.一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于:该电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别于不同金属层走线，与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。
2.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于:该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。
3.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于:该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。
4.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于:该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极。
5.一种电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，包括如下步骤: 将电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别在不同的金属层走线； 与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和与存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接。
6.如权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于:将该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层。
7.如权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于:该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。
8.如权利要求5所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于:该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极。
【文档编号】G11C16/06GK103745747SQ201410010129
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2014年1月9日 优先权日:2014年1月9日
【发明者】杨光军 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司