技术编号：6766911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件。静态随机存储器单元的抗干扰电路包括在所述静态随机存储器单元的存储节点(Q、QB)上分别连接的串联的第一开关元件和电容，第一开关元件受第一字线(WLB)控制，第一字线在所述静态随机存储器单元的读写操作和保持操作期间分别使第一开关元件关断和导通。它能够在保持操作期间，具有很高的抗干扰性能，另外，在SRAM单元读写时，不会因为存储节点连接的元件过多而导致读写速度变慢。专利说明静态随机存储器单元的抗干扰电路...
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