技术编号:6767020
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供一种包含双电力线的静态随机存取存储器(SRAM)器件及其位线预充电方法。存储单元被供应有第一驱动电压。位线对连接到存储单元。感应放大器连接到位线对。感应放大器被供应有低于第一驱动电压的第二驱动电压。控制逻辑从第一驱动电压和第二驱动电压选择预充电电压,将位线对预充电到预充电电压并且将预充电电压调整到目标电压。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2013年8月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0104369...
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