技术编号:6767304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种自适应的源极电压调节型SRAM结构,包括由多个MOS管构成的基本SRAM存储单元,还包括一个源端电压调节电路,所述源端电压调节电路由NMOS管M7、反相器INV1、反相器INV2、可调电容Cbst构成,其中,所述NMOS管M7的漏极连接SRAM存储单元电路源端SOURCE,NMOS管M7的源极接地,NMOS管M7的栅极连接使能信号端bsten,使能信号端bsten通过两个串联的反相器INV1和反相器INV2缓冲后连接可调节电容Cbst的一个极板...
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