技术编号:6768600
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及同步伪(pseudo)SRAM的访问速度的增加。 背景技术在本领域中伪SRAM是众所周知的。伪SRAM具有与使用现有技术的DRAM的存储 器单元的SRAM相同的接口。 S卩,伪SRAM包括被构建在存储器中的刷新控制,并且控制器仅 执行读取/写入控制。 由于伪SRAM使用在速度方面被认为不理想的DRAM用于存储器单元,并且外围电 路被集成,因此伪SRAM的访问速度小于SRAM并且还小于纯粹的DRAM。另一方面,伪SRAM 具有每面积低成本并且高容量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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