技术编号:6771286
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种相变化存储器单元,尤其涉及一种具有冠状结构的相变化存储器单元。背景技术相变化存储器(phase change memory ;PCM)为一种非易失性存储器,其中相变化材料的功能区的状态在结晶态(crystalline)及非晶态(amorphous)间转换,例如借由产生热能的电流来转换。而利用功能区的状态来表现存储的数据。例如,在热激发(heat excitation)后,若功能区在结晶态,所存储的数据是在低逻辑电平(例如,“低信号”)。 然而...
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