技术编号:6771540
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器,特别涉及一种低电压静态随机存储器单元。 背景技术为了充分利用集成电路工艺进步所带来的好处,得到更大的集成度,CMOS器件的尺寸变得越来越小。然而随着工艺技术的进一步提高,芯片加工过程中的多样性使得CMOS 器件的参数,如阈值电压等,也会出现较大的随机涨落。对于静态随机存储器(SRAM)这种强烈依赖于器件对称性的单元电路来说,器件参数的不一致会对电路稳定性造成很严重的影响。此外,电源电压的下降更加剧了这种影响。除此之外,工艺以及电压的变化也...
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