技术编号：6772264
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电场调制型随机存取存储器，具体的说，本发明涉及一种电场调制型随机存储单元阵列及电场调制型随机存储器。背景技术动态随机存储器(DRAM)是当前计算机的重要组成部分，通常也被人们称为内存。 DRAM单元结构十分简单，由一个晶体管和一个电容组成。但由于电容存在漏电现象，因此存储单元需要进行周期性的刷新。如果存储单元未进行刷新，单元中的信息就会丢失，这就是通常所说的存储数据具有易失性。为了解决DRAM数据易失性的问题，人们提出了许多新型的非易失性随机...
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