技术编号:6773234
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路。 背景技术随着近年来的微细化技术的发展,LSI(Large Scale htegration 大规模集成 电路)的消耗电力变大,不能无视半导体存储器待机时的消耗电力。使用如下电源门控 (Power gating)技术,即,切断LSI中未使用部分的电源,仅接通使用部分的电源。在通过 半导体的CMOS技术制作存储器电路的情况下,使用易失性的SRAM (Static Random Access Memory...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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