技术编号:6773348
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种存储单元(memory cell),特别是有关于一种存储单元的偏压技术。背景技术静态随机存取内存(static random access memories ;SRAM)被普遍地用在记体电路中。嵌入式静态随机存取内存在高速传输应用、影像处理应用和系统芯片(system on chip ;S0C)应用中特别受到欢迎。静态随机存取内存单元(SRAM cells)具有不需更新 (refresh)即可维持数据的优点。图1是绘示具有六晶体管和单端口...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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