技术编号:6774840
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种集成电路放大器,特别涉及的是一种针对深亚微米动态 存储器的信号放大电路。背景技术1. 氮氧化硅SiON栅介质的特性随着场效应管MOSFET的尺寸不断缩减,为了维持对漏极电流的良好的可控 性,需要减小栅介质的厚度。在100纳米以下CMOS工艺中,栅氧化层的厚度已 经在2纳米以下。随着尺寸的不断缩小,栅极漏电以及可靠性问题比如栅电极的 硼渗透,成为一个紧迫的问题。当工艺尺寸在180nm以下时,工业界已经不再采用纯Si02作为栅绝缘体, 而是采...
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