技术编号:6775405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储单元,特别涉及。背景技术非易失性(non-volatile)半导体存储器由包括字线和位线的存储单元阵列 构成,通常场效应晶体管是存储单元的基本组成单元。字线连接晶体管的栅 极,而位线连接晶体管的漏极。通过打开某一字线和位线,就能对于选定的 存储单元(selected cell)进行写入操作。在实际应用中发现,当对于某一选 定的存储单元进行写入操作时,其相邻的受同 一字线控制的存储单元可能也 会产生写入操作。这种现象被称为"写入扰乱"。美...
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