使用相变材料存储器元件的非易失性内容可寻址存储器的制作方法技术资料下载

技术编号:6776560

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本发明通常涉及存储器器件以及,更具体而言,涉及集成电路内容可 寻址存储器器件。背景技术随机存取存储器(RAM)使数据与地址相关。在当今的计算机中,传 统上使用易失性RAM例如动态RAM ( DRAM )和静态RAM ( SRAM )。 然而,随着无线移动计算系统变得更加流行,目前在存储器领域中,大量 的研究和开发都集中在新的非易失性存储器上。目前公知的重要的非易失 性RAM为使用非线性电容的铁电RAM (FeRAM),其中该非线性电容 归因于钛锆酸铅(PZ...
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