技术编号:6776929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种基于相变存储器材质,包括硫族化合物材质与其它可程序化电阻材质,的存储器装置及操作存储器装置的方法。 背景技术具有相变的存储器材质可利用适于实现在集成电路的电流在位准上的应用改变 其相位,而其相位介于非晶态(amorphous state)与晶态(crystalline state)之间,且具 有相变的存储器材质可为硫族化合物(Chalcogenide)或其它类似的材质。普通非晶态的 特征在于其电阻高于普通非晶态的电阻,且其可以容易被侦测据...
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