技术编号:6777130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。0001本发明总的涉及动态随机存取存储器(DRAM ),更具体地,本 发明涉及DRAM自刷新电路。背景技术0002随着晶体管半导体制造技术达到纳米水平,使用此技术所获 得的电路和系统可以实现若干主要优点。相比之前的制造技术,在硅片的 给定区域内更高集成度地封装了更多的特征和功能,得到更小和更便于携 带的设备。随着更高的集成度,可以在每一硅晶片上制造更大量的芯片, 有效地降低了每一芯片的生产成本。由于阈值电压的降低,更小的晶体管 开关更快,从而为系统提供更快...
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