技术编号:6777409
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置,尤其涉及可改写的非易失性半导体存储装置。背景技术 在现有的非易失性半导体存储装置中,已知有如图10~12所示的非易失性半导体存储装置(参照专利文献1;现有例1)。现有例1所涉及的非易失性半导体存储装置在存储单元阵列中具有第一扩散区域107、选择栅103、第二扩散区域(图10的121)、浮置栅106、和控制栅111(参照图10、11)。第一扩散区域107沿一个方向延伸且相互分离地并列设置于基板101表面。第一扩散区域107被用作局部...
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