技术编号:6777445
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有救济(relief)缺陷存储单元(defective memory cell)的冗余电路的半导体存储器。一般来说,半导体存储器具有用于提高产品(Product)成品率(yield)的冗余电路。在存储单元阵列(normal cell array)内存在缺陷存储单元的情况下,冗余电路具有将该缺陷存储单元替换(replace)为备用存储单元阵列内的冗余存储单元(redundancy memory cell)的功能。现在最一般的冗余电路采用以救济单位...
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