技术编号：6777606
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于大规模数字集成电路，具体为一种对交叉型阻性存储阵列提供动 态电压偏置的方法及其实现电路。技术背景存储器在半导体市场中占有重要的地位，仅DRAM(Dynamic Random Access Memory) 和FLASH两种就占市场的15%，随着便携式电子设备的不断普及，不挥发存储器市场也 越来越大。然而传统的不挥发存储器的尺寸已经接近其物理极限，有报道预测FLASH技 术的极限在32nm左右，这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代不挥发存储器。最近电...
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