技术编号：6777962
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。经第三腐蚀处理形成第三杂质区5032-5035。第一导电层5037a-5040a分别与第三杂质区5 032a-5035a重叠，第二杂质区5 032b-5 036b 分别形成在第一杂质区和第三杂质区之间。如图22C所示，具有与第一导电类型相反的导电类型的第四杂质 区5043-5054被形成在小岛状半导体层5004和5006中用于形成p沟 道型TFT。第三形状导电层5038b和5040b用作对杂质元素的掩模并 且杂质区以自对准方式形成。此时，用于形成n沟道型T...
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