只写一次型的光学记录媒体的制作方法

专利名称：只写一次型的光学记录媒体的制作方法
经第三腐蚀处理形成第三杂质区5032-5035。第一导电层5037a-5040a分别与第三杂质区5 032a-5035a重叠，第二杂质区5 032b-5 036b 分别形成在第一杂质区和第三杂质区之间。如图22C所示，具有与第一导电类型相反的导电类型的第四杂质 区5043-5054被形成在小岛状半导体层5004和5006中用于形成p沟 道型TFT。第三形状导电层5038b和5040b用作对杂质元素的掩模并 且杂质区以自对准方式形成。此时，用于形成n沟道型TFT和布线部 分5041和5042的小岛状半导体层5003和5005全部覆以光致抗蚀剂 掩模5200。杂质区5043-5054已用磷以不同的浓度掺杂。杂质区 5043-5054借助离子掺杂用乙硼烷(B2H6)掺杂，并且其杂质浓度在相 应的杂质区被设为2 x 102。-2 x 1()2'原子/cm3。通过上述步骤，杂质区被形成在相应的小岛状半导体层中。重叠 小岛状半导体层的第三形状的导电层5037-5040用作栅极。参考数字 5042用作小岛状笫一扫描线。参考数字5041用作连接小島状第三扫 描线和第三形状导电层5040的布线。去除光致抗蚀剂掩模5200后，对添加到小岛状半导体层的杂质元 素进行激活的步骤以控制导电类型。该工艺借助使用炉子进行炉子退 火的热退火方法。此外，可以应用激光退火方法或快速热退火方法(RTA 方法)。在热退火方法中，在400-700 。C，通常为500-600 。C的温 度下，在其中氧的浓度等于或小于1 ppm并优选等于或小于0. lppm的 氮气氛中进行该工艺。在本实施例中，热处理在500 。C的温度进行四 小时。当用在第三形状导电层5037-5042中的布线材料的抗热性弱 时，优选在形成层间绝缘膜(有硅作为主要成分)之后进行激活以保 护布线等。当采用激光退火方法时，可使用在结晶化中使用的激光。 当进行激活时，移动速度设为与结晶化处理一样，需要的能量密度为 约0. 01-100 MW/cm2 (优选0.01-10 MW/cm2)。此外，在300-450 。C的温度下，在包含3-100%的氢的气氛中进 行热处理1-12小时，使得小岛状半导体层被氬化。该步骤通过被热激 发的氢而终止了半导体层的悬挂键。也可进行等离子体氢化(使用被 等离子体激发的氢)作为氢化的另一种方法。接着，如图23A所示，第一层间绝缘膜5055由厚度为100-200 nm 的氮氧化硅膜形成。有机绝缘材料的笫二层间绝缘膜5056形成在第一由此可见，上述现有的只写 一次型的光学记录々某体在结构与使用上，显 然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问 题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的 设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然 是相关业者急欲解决的问题。由于可读写光学记录媒体的技术不断突破创 新，同时，人们对记录々某体的容量要求也越来越高，因此如何能创设一种新 型结构的只写一次型的光学记录媒体，改善目前的只写一次型的光学记录 媒体，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界持续努力的方向及极 需改进的目标。有鉴于上述现有的只写一次型的光学记录媒体存在的缺陷，本发明人 基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理 的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的只写一次型的光学 记录媒体，能够改进一般现有的只写一次型的光学记录媒体，使其更具有 实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创 设出确具实用价值的本发明。发明内容本发明的目的在于，克服现有的只写一次型的光学记录媒体存在的缺 陷，而提供一种新型结构的只写一次型的光学记录媒体，所要解决的技术问 题是使其可以降低生产成本，并且能够提高生产效率，非常适于实用。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种只写一次型的光学记录媒体，可与一写录激光相配合而 用于记录资料，之后，再与一再生激光相配合而可读取记录资料，该只写一次型的光学记录媒体包含一片基板，及一层形成于该基板上的镀膜；其特 征在于该镀膜，包括一层记录层，及一层与该记录层相连接并用于反射 该再生激光的反射层；该记录层的主成分是选自于锗、锑、硅，或此等元 素的组合，该反射层的主成分是选自于铝、铜、4艮、金，或此等元素的组 合，当该写录激光射入该镀膜时，会在该记录层与该反射层的界面区域产 生局部材料组成变化反应，使得反射率提高，而形成一作为数位讯号来源 的i己录点。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的只写一次型的光学记录媒体，其中所述的记录层的主成分是原 子百分比80以上的锑，该反射层的主成分是银。前述的只写 一次型的光学记录媒体，其中所述的记录层的主成分是原 子百分比80以上的珪，该反射层的主成分是铝。前述的只写一次型的光学记录媒体，其中所述的镀膜的记录层与反射层是依序叠置于该基板上，该写录激光是自该基板底面射入该光学记录媒 体，且该基板的材料是选自于玻璃、聚碳酸酯，或聚甲基丙烯酸曱S旨，该记录层厚度是10nm~ 100nra，主成分是原子百分比80以上的锗，该反射层厚度 是80nm ~ 200nm,且主成分为银，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. O并用于提高 该反射层的反射率的第一副成分、 一原子百分比0.01-2.0并用于提高该 反射层的抗腐蚀性的第二副成分，及一原子百分比0. 01 ~2. O并用于提高该 反射层的机械强度的第三副成分，且该第一副成分是选自于钯、铜、鉑，或 此等的组合，该第二副成分是选自于钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍,或此等 的组合，该第三副成分是选自于钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋,或此等 的组合。前述的只写一次型的光学记录媒体，其中所述的镀膜还包括一层叠置 于该基板上的介电层，且该记录层与该反射层是依序叠置于该介电层上，该 写录激光是自该基板底面射入该光学记录媒体，并被该介电层偏折而垂直 射入该记录层，且该基板的材料是选自于玻璃、聚碳酸酯，或聚甲基丙烯酸 曱酉旨，该介电层厚度是为50nm 300mn,材料是选自于硫化锌-二氧化硅、氧 化铝、氧化锆、氮化钛，或碳化硅，该记录层的厚度是为10nm-100nm，主 成分是原子百分比80以上的锗，该反射层的厚度是为80nm~ 200nm,并且 主成分为银，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高该反射层的反射 率的第一副成分、 一原子百分比0. 01~2. 0并用于提高该反射层的抗腐蚀 性的第二副成分，及一原子百分比0. 01~2. 0并用于提高该反射层的机械 强度的第三副成分，并且该第一副成分是选自于钯、铜、柏，或此等的 组合，该第二副成分是选自于钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，或此等的 组合，该第三副成分是选自于钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋，或此等的 组合。前述的只写一次型的光学记录媒体，其中所述的镀膜还包括一层叠置 于该反射层上用于避免该反射层遭受破坏的保护层，且该保护层的材料是 光硬化树脂。前述的只写一次型的光学记录媒体，其中所述的镀膜的反射层与记录 层是依序叠置于该基板上，该写录激光是自该镀膜顶面射入该光学记录媒 体，并且该基板的材料是选自于玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱酯，该 记录层的厚度是为10nm 100nm,主成分是原子百分比80以上的锗，该反 射层的厚度是为80nm~ 200nm，且主成分是为银，并包括一原子百分比 0.01-3.0并用于提高该反射层的反射率的第一副成分、 一原子百分比 0. 01 ~ 2. 0 并用于提高该反射层的抗腐蚀性的第二副成分，及一原子百分 比0. 01~2. 0 并用于提高该反射层的机械强度的第三副成分，并且该第 一副成分是选自于钯、铜、柏，或此等的一组合，该第二副成分是选自于钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，或此等的组合，该第三副成分是选自于 钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋，或此等的组合。前述的只写一次型的光学记录媒体，其中所述镀膜还包括一层叠置于 该记录层上的介电层，该写录激光是自该镀膜顶面射入该光学记录媒体，并被该介电层偏折而垂直射入该记录层，且该介电层的厚度是为50nm~ 300nm，材料是选自于硫化锌-二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氮化钛，或碳 化硅。前述的只写一次型的光学记录媒体，其中所述的镀膜还包括一层叠置 于该介电层上用于避免该介电层遭受破坏的透明的保护层，且该保护层的 材料是光硬化树脂。本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方 案，本发明只写一次型的光学记录媒体至少具有下列优点及有益效果1、 本发明的该记录层是选用可采用直流溅镀技术成长的无机材料，而 可以降低生产成本，及提高生产效率。2、 此外，运用该反射层的材料特性，不仅可与该记录层相配合达成记 录的功效，同时还可以用于反射该再生激光，而能够减少该光学记录媒体 的镀膜层数。综上所述，本发明是有关于一种只写一次型的光学记录媒体，其包含 基板，及形成于基板上的镀膜，且镀膜包括记录层，及与记录层相连接的反 射层，其中，记录层的主成分可为锗、锑、硅，或上述任两种以上元素形成 的混合物，且反射层的主成分可为铝、铜、银、金，或上述任两种以上金属 形成的合金，当写录激光射入镀膜时，会在记录层与反射层的界面区域产生 局部材料组成变化反应而形成一作为数位讯号来源的记录点，由于记录层 是选用可采用直流溅镀技术成长的无机材料，且产品制作工序极小化，因 此，可以大幅降低生产成本，并提高生产效率。本发明具有上述诸多优点及 实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大改进，在技术上有显著的 进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的只写一次型的光学记录媒 体具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业广泛利用价值，诚 为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。


图l是说明一般现有的光学记录媒体的示意图。图2是说明本发明光学记录媒体第 一较佳实施例的示意图。图3是说明本发明光学记录媒体第五较佳实施例的示意图。 图4是说明本发明光学记录媒体第六较佳实施例的示意图。 图5是说明本发明光学记录媒体第七较佳实施例的示意图。 图6是说明本发明光学记录媒体第八较佳实施例的示意图。 图7是说明本发明光学记录媒体第九较佳实施例的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的只写一次型的光学记 录媒体其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图 式较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。在本发明被详细描述之前，要 注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。本发明只写一次型的光学记录媒体，可与一写录激光相配合而用于记 录资料，之后，再与一再生激光相配合而可读取记录资料。请参阅图2所示，是说明本发明光学记录媒体第一较佳实施例的示意 图。本发明只写一次型的光学记录媒体的一第一较佳实施例，包含一片基 板2，以及一层形成于该基板2上的镀膜3。该基板2,是以透明的材料，例如玻璃、聚碳酸酯，或聚甲基丙烯酸甲 酯等构成，在本实施例中，是以玻璃为例进行说明。该镀膜3,包括一层叠置于该基板2上的记录层31，及一层叠置于该记 录层31上并用于反射该再生激光的反射层32。该记录层31的厚度是10nm 100nm，且主成分可是锗、硅、锑，及/或 此等元素选择性地組成的混合物，并包括一由其他元素构成的副成分，且主 成分含量的原子百分比需要在80以上，才可达到蓝光碟片对讯号记录的规 范；在本实施例中，该记录层的厚度是30nm，并以原子百分比90的锗作为 主成分，原子百分比10的铬作为副成分，为例进行说明。该反射层32的厚度是80nm~ 200nm，并可反射光，且主成分是银，并包 括一用于提高该反射层32的反射率的第一副成分、 一用于提高该反射层32 的抗腐蚀性的第二副成分，及一用于提高该反射层32的机械强度的第三副 成分，其中，该第一副成分可为钯、铜、钼，及/或上述任两种以上金属形成 的合金，且最高添加量为3. 0的原子百分比，超出此一范围，该反射层的反 射率将随添加量提高而降低，而最少添加量则定在0.01的原子百分比；该 第二副成分可为钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，及/或上述任两种以上元素 形成的合金，且添加量必须高于0. 01的原子百分比，才足以显现其功效，同按照从移位寄存器输出的取样脉冲同时进行数字图像信号的3个比特 部分的存储操作。存储在第二闩锁电路1203中的3比特数字图像信号 被输入到固定电流电路1204。图13示出构造实施例3的固定电流电路的电流置位电路结构的实 例。电流置位电路1300具有TFT 1301-1303、模拟开关1304和1305、 反相器1306和1307、 N0R电路1308和电源1309和1310。数字图像信号的3比特被分别输入到TFT 1301-1303的栅极，并 输入到NOR电路1308。 TFT各自具有不同的沟道宽度W，并且它们的 接通电流被设置为具有比例4: 2: 1。当输入到TFT 1301-1303的栅极的数字图^f象信号为1时，即当它 为H电平时，TFT接通并且预定的电流被提供给源信号线。提供给源信 号线的电流是经TFT 1301-1303提供的电流的总和，并且如上所述各 TFT的接通电流的比例为4: 2: 1，因此电流的大小可被控制为23级， 即8级。如果输入到TFT 1301-1303的栅极的数字图像信号都为零时，即 当它为L电平时，则TFT 1301-1303全部关断。另一方面，H电平从 N0R输出，模拟开关1305接通，电源1310的电源电位被分给源信号 线。此外，如果复位信号(Res.)在水平返回周期内被输入，则模拟 开关1304接通，电源1309的电源电位被分给源信号线。优选电源1309和1310的电位分别被设置为类似与象素部分的电 流馈电线的电位，使得当电源电位被分给源信号线时流入源信号线的 电流量可被设置为零。于是可进行灰度等级显示。注意，虽然在实施例3中给出3比特 数字灰度等级情况的实例，对灰度等级的数目没有特定的限制，对于 显示更高灰度等级数目的情况，用类似的方法可能实现实施例3。实施例4在图1A和1B所示的结构中，存储TFT 156的第二电极被连接到 源信号线101。如图14A所示，存储TFT 156也可被连接到开关TFT 1401 的输出电极和驱动TFT 1403的输入电极。图14B-14D示出信号写入和光发射操作，但除了电流路径L与图 1A和1B稍有不同外，操作是相同的，因此这里省略解释。该第 一较佳实施例，其不同点仅在于该第二较佳实施例是以纯锗作为该记录层31的材料，而可降低与该反射层32反应所需的能量，且能够缩短反应 时间，而可以提升资料的写入速率。本发明只写一次型的光学记录媒体的第三较佳实施例，大致上雷同于 该第一较佳实施例，其不同点仅在于该第三较佳实施例的该记录层的主成 分是硅，该反射层的主成分是铝，并且当该写录激光射入该光学记录媒体 时，将在该记录层31与该反射层32的界面区域产生局部材料组成变化反应 而形成硅铝固溶物，而可以作为数位讯号来源的记录点。本发明只写一次型的光学记录媒体的第四较佳实施例，大致上雷同于 该第一较佳实施例，其不同点仅在于该第四较佳实施例的该记录层的主成 分是锑，且当该写录激光射入该光学记录媒体时，将在该记录层31与该反 射层32的界面区域产生局部材料组成变化反应而形成锑银固溶合金，而可 以作为数位讯号来源的记录点。请参阅图3所示，是说明本发明光学记录媒体第五较佳实施例的示意 图。本发明只写一次型的光学记录媒体的第五较佳实施例，其包含一片基 板2,以及一层形成于该基板2上的镀膜3。该基板2,是以透明的材料，例如玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱 酯等构成，在本实施例中，是以玻璃为例进行说明。该镀膜3，包括依序叠置于该基板2上的一层介电层33、 一层记录层 31，及一层用于反射该再生激光反射层32。该介电层33的厚度是为50nm 300nm,并以具有高折射率的材料，例 如硫化锌-二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氮化钛，或碳化硅等构成，而可 偏折光的行进路线；在本实施例中，是以厚度为150nm的硫化锌-二氧化硅 为例进行说明。该记录层31的厚度是10nm-100nm，且主成分可以是锗、硅、锑，及/ 或此等元素选择性地组成的混合物，并包括一由其他元素构成的副成分，且 主成分含量的原子百分比需在80以上，才可达到蓝光碟片对讯号记录的规 范；在本实施例中，该记录层的厚度是30nm,并以原子百分比90的锗作为 主成分，原子百分比10的铬作为副成分，为例进行说明。该反射层32的厚度是80nm~ 200nm,并可反射光，且主成分是银，并包 括一用于提高该反射层32的反射率的第一副成分、 一用于提高该反射层32 的抗腐蚀性的第二副成分，及一用于提高该反射层32的机械强度的第三副 成分，其中，该第一副成分可为钯、铜、柏，及/或上述任两种以上金属形成 的合金，且最高添加量为3.0的原子百分比，超出此一范围，该反射层的 反射率将随添加量提高而降低，而最少添加量则定在0. 01的原子百分比；该 第二副成分可为钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，及/或上述任两种以上元素形成的合金，且添加量必须高于0. 01的原子百分比，才足以显现其功效，同时不能超出2. 0的原子百分比，以避免对反射率造成不良的影响；该第三副 成分可以为钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋，及/或上述任两种以上元素 形成的混合物，且最高添加量为2. 0的原子百分比，以避免因浓度过高，产 生析出物，而最少添加量则定在0.01的原子百分比；在本实施例中，是以 厚度为200nm的《艮合金，并添加原子百分比1. 2的铂、原子百分比0. 3的 铜、原子百分比O. l的钪、原子百分比O. 2的镍，为例进行说明。该写录激光(波长405nm以下)(图中未示)是自该基板2底面射入该光 学记录媒体，且被该介电层33偏折而垂直射入该记录层31，并在该记录层 31与该反射层32的界面区域产生局部材料组成变化反应，而形成银锗的固 溶合金，使得反射率提高，以作为数位讯号来源的记录点，而用于记录、保 存资料。在本实施例中，该写录激光的波长是405nm,并在该记录层31与 该反射层32的界面形成银锗固溶合金，使反射率在反应前后的差异达45% 以上，以作为数位讯号来源的记录点。请参阅图4所示，是说明本发明光学记录媒体第六较佳实施例的示意 图。本发明只写一次型的光学记录媒体的第六较佳实施例，大致上雷同于 该第五较佳实施例，其不同点仅在于该第六较佳实施例的该镀膜还包括一 层叠置于该反射层32上用于避免该反射层32遭受破坏的保护层34，且在 本较佳实施例中，该保护层34的材料是光硬化树脂。请参阅图5所示，是说明本发明光学记录媒体第七较佳实施例的示意 图。本发明只写一次型的光学记录媒体的第七较佳实施例，其包含一片基 板4,以及一层形成于该基板4上的镀膜5。该基板4,是以透明的材料，例如玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱 酯等构成；在本实施例中，是以玻璃为例进行说明。该镀膜5,包括一层记录层51,及一层叠置于该基板4与该记录层的 间并用于反射该再生激光的反射层52。该记录层31的厚度是为10nm 100nm，且主成分可以是锗、硅、锑，及/ 或此等元素选择性地组成的混合物，并包括一由其他元素构成的副成分，且 主成分含量的原子百分比需在80以上，才可达到蓝光^^乘片对讯号记录的规 范；在本实施例中，该记录层的厚度是为30nm，并以原子百分比95的锗作 为主成分，原子百分比5的铬作为副成分，为例进行说明。该反射层32的厚度是80nm 200nm，并可反射光，且主成分是银，并包 括一用于提高该反射层32的反射率的第一副成分、 一用于提高该反射层32 的抗腐蚀性的第二副成分，及一用于提高该反射层32的机械强度的第三副 成分，其中，该第一副成分可为钯、铜、柏，及/或上述任两种以上金属形成的合金，且最高添加量为3. G的原子百分比，超出此一范围，该反射层的反射率将随添加量提高而降低，而最少添加量则定在0. 01的原子百分比；该第二副成分可为钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，及/或上述任两种以上元素形成的合金，且添加量必须高于0. 01的原子百分比，才足以显现其功效，同 时不能超出2. 0的原子百分比，以避免对反射率造成不良的影响；该第三 副成分可为钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋，及/或上述任两种以上元素 形成的混合物，且最高添加量为2. 0的原子百分比，以避免因浓度过高，产 生析出物，而最少添加量则定在0. 01的原子百分比；在本实施例中，是以 厚度为200nm的银合金，并添加原子百分比0. 9的铂、原子百分比0. 9的 铜，及原子百分比l的金，为例进行说明。该写录激光(波长405nm以下)(图中未示)是自该镀膜5顶面射入该光 学记录々某体，并在该记录层51与该反射层52的界面区域产生局部材料组 成变化反应而形成银锗固溶合金，使得反射率提高，以作为数位讯号来源 的记录点，而用于记录、保存资料。在本实施例中，该写录激光的波长是 为405nm，并在该记录层51与该反射层52的界面形成银锗固溶合金，使反 射率在反应前后的差异达45 %以上，以作为凄t位讯号来源的记录点。该第七较佳实施例，是提供另一类型的光学记录媒体。请参阅图6所示，是说明本发明光学记录々某体第八较佳实施例的示意 图。本发明只写一次型的光学记录媒体的第八较佳实施例，大致上雷同于该 第七较佳实施例，其不同点仅在于该第八较佳实施例的该镀膜还包括一层 叠置于该记录层51上的介电层53。该介电层53的厚度是为50nm~ 300nm，并且以具有高折射率的材料，例 如硫化锌-二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氮化钛，或碳化硅等构成，而可偏 折光的行进路线；在本实施例中，是以厚度为150nm的硫化锌-二氧化硅为 例进行说明。该写录激光是自该镀膜5顶面射入该光学记录媒体，并被该介电层53 偏折而垂直射入该记录层51,并在该记录层51与该反射层52的界面区域 产生局部材料组成变化反应而形成银锗固溶合金，使得反射率提高，以作 为数位讯号来源的记录点。请参阅图7所示，是说明本发明光学记录媒体第九较佳实施例的示意 图。本发明只写一次型的光学记录媒体的第九较佳实施例，大致上雷同于第 八较佳实施例，其不同点仅在于该第九较佳实施例的该镀膜还包括一层叠 置于该介电层53上用于避免该介电层53遭受破坏的透明的保护层54，且在 本较佳实施例中，该保护层54的材料是光硬化树脂。另外，上述该第5、 6、 7、 8、 9实施例中，该记录层31、 51的材料亦 可以为纯锗；或以硅取代锗作为该记录层31、 51的主成分，并以铝取代银 作为该反射层32、 52的主成分，且当该写录激光射入该光学记录媒体时，在该记录层31、 51与该反射层32、 52的界面区域产生局部材料组成变化反 应而形成硅铝固溶物，以作为数位讯号来源的记录点；或是以锑取代锗作 为该记录层31、 51的主成分，且当该写录激光射入该光学记录媒体时，在 该记录层31、 51与该反射层32、 52的界面区域产生局部材料组成变化反 应而形成锑银固溶合金，以作为数位讯号来源的记录点。此外，该基板的上表面更可形成设有多数个导引光线行进的沟槽，然而 由于该多数沟槽的设计已为业界所周知，因此在此不再加以赘述。综上所述，本发明只写一次型的光学记录媒体，是选用可以直流溅镀 技术成长的无机材料做为该记录层31、 51的材料， 一方面可以延长该光学 记录媒体的使用寿命，且适用于严苛的使用或储存环境；另一方面，还可 以大幅降低生产成本，并提高生产效率，确实能够达到本发明的目的及功 效。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围 内。
权利要求
1. 一种只写一次型的光学记录媒体，可与一写录激光相配合而用于记录资料，之后，再与一再生激光相配合而可读取记录资料，该只写一次型的光学记录媒体包含一片基板，及一层形成于该基板上的镀膜；其特征在于该镀膜，包括一层记录层，及一层与该记录层相连接并用于反射该再生激光的反射层；该记录层的主成分是选自于锗、锑、硅，或此等元素的组合，该反射层的主成分是选自于铝、铜、银、金，或此等元素的组合，当该写录激光射入该镀膜时，会在该记录层与该反射层的界面区域产生局部材料组成变化反应，使得反射率提高，而形成一作为数位讯号来源的记录点。
2、 如权利要求1所述的只写一次型的光学记录J;某体，其特征在于其中 所述的记录层的主成分是原子百分比80以上的锑，该反射层的主成分是银。
3、 如权利要求1所述的只写一次型的光学记录媒体，其特征在于其中 所述的记录层的主成分是原子百分比80以上的硅，该反射层的主成分是铝。
4、 如权利要求1所述的只写一次型的光学记录媒体，其特征在于其 中所述的镀膜的记录层与反射层是依序叠置于该基板上，该写录激光是自 该基板底面射入该光学记录媒体，并且该基板的材料是选自于玻璃、聚碳 酸酯，或聚甲基丙烯酸曱酯，该记录层的厚度是为10nm 100nm，主成分是 原子百分比80以上的锗，该反射层的厚度是为80nm 200nm,且主成分为 银，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高该反射层的反射率的第一副 成分、 一原子百分比0.01-2.0并用于提高该反射层的抗腐蚀性的第二副 成分,及一原子百分比0. 01 ~ 2. 0并用于提高该反射层的机械强度的第三副 成分，且该第一副成分是选自于钯、铜、柏，或此等的组合，该第二副成 分是选自于钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，或此等的组合，该第三副成分 是选自于钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋，或此等的组合。
5、 如权利要求1所述的只写一次型的光学记录媒体，其特征在于其 中所述的镀膜还包括一层叠置于该基板上的介电层，并且该记录层与该反 射层是依序叠置于该介电层上，该写录激光是自该基板底面射入该光学记 录媒体，并被该介电层偏折而垂直射入该记录层，且该基板的材料是选自 于玻璃、聚碳酸酯，或聚曱基丙烯酸曱酯，该介电层的厚度是为50nm~ 300nm，材料是选自于^i化锌-二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氮化钛，或碳 化硅，该记录层的厚度是为10nm~100nm，主成分是原子百分比80以上的 锗，该反射层的厚度是为80nm~ 200nm，并且主成分为银，并包括一原子百 分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高该反射层的反射率的第一副成分、 一原子百分比0. 01~2. 0并用于提高该反射层的抗腐蚀性的第二副成分，及一原子百 分比0. 01~2. 0并用于提高该反射层的机械强度的第三副成分，并且该第 一副成分是选自于钯、铜、柏，或此等的组合，该第二副成分是选自于 钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，或此等的组合，该第三副成分是选自于 钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋，或此等的组合。
6、 如权利要求5所述的只写一次型的光学记录媒体，其特征在于其中 所述的镀膜还包括一层叠置于该反射层上用于避免该反射层遭受破坏的保 护层，且该保护层的材料是光硬化树脂。
7、 如权利要求1所述的只写一次型的光学记录纟某体，其特征在于其中 所述的镀膜的反射层与记录层是依序叠置于该基板上，该写录激光是自该 镀膜顶面射入该光学记录媒体，并且该基板的材料是选自于玻璃、聚碳酸 酯，或聚曱基丙烯酸甲酯，该记录层的厚度是为10nm~100nm,主成分是原 子百分比80以上的锗，该反射层的厚度是为80mn- 200nm，且主成分是为 银，并包括一原子百分比0. 01 ~ 3. 0并用于提高该反射层的反射率的第一副 成分、 一原子百分比0.01-2.0并用于提高该反射层的抗腐蚀性的第二副 成分，及一原子百分比0. 01 ~ 2. 0并用于提高该反射层的机械强度的第三 副成分，且该第一副成分是选自于钯、铜、铂，或此等的一组合，该第二 副成分是选自于钪、铍、铝、钛、铬、锌、镍，或此等的组合，该第三副 成分是选自于钡、钪、硅、钛、铟、锗、锌、铋，或此等的组合。
8、 如权利要求7所述的只写一次型的光学记录媒体，其特征在于其中 所述的镀膜还包括一层叠置于该记录层上的介电层，该写录激光是自该镀 膜顶面射入该光学记录媒体，并被该介电层偏折而垂直射入该记录层，且该 介电层的厚度是50nm ~ 300nm，材料是选自于硫化锌-二氧化硅、氧化铝、氧 化锆、氮化钛，或碳化硅。
9、 如权利要求8所述的只写一次型的光学记录媒体，其特征在于其中 所述的镀膜还包括一层叠置于该介电层上用于避免该介电层遭受破坏的透 明的保护层，且该保护层的材料是光硬化树脂。
全文摘要
本发明是有关于一种只写一次型的光学记录媒体，其包含基板，及形成于基板上的镀膜，且镀膜包括记录层，及与记录层相连接的反射层，其中，记录层的主成分可为锗、锑、硅，或上述任两种以上元素形成的混合物，且反射层的主成分可为铝、铜、银、金，或上述任两种以上金属形成的合金，当写录激光射入镀膜时，会在记录层与反射层的界面区域产生局部材料组成变化反应而形成一作为数位讯号来源的记录点，由于记录层是选用可采用直流溅镀技术成长的无机材料，且产品制作工序极小化，因此，可以大幅降低生产成本，并提高生产效率。
文档编号G11B7/242GK101231858SQ20071009026
公开日2008年7月30日 申请日期2007年4月17日 优先权日2007年1月24日
发明者张六文, 张瑞东, 李至隆, 潘永村, 董寰乾 申请人:中国钢铁股份有限公司