技术编号:6779273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器器件及控制与其操作相关的时序的方法。背景技术半导体存储器器件例如DRAM (动态随机访问存储器)的小型化每年 在进行。随着小型化继续进行,半导体存储器器件中的线间间距变得更 小,因而耦合电容增加。耦合电容的增加会引起由于噪声导致的误操作。特别是在DRAM中,由于单元的面积随着小型化的进行而减小,所 以连接到存储单元的位线之间的线间间距也减小。结果,位线之间的电容 变大,这增加了当读出存储单元中存储的数据时发生由于灵敏放大器中的 噪...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。