技术编号:67800
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明的实施例总体上涉及β伏打(betavoltaic)领域,具体地说,涉及半导体β伏打设备及其制造方法和应用,更具体地说,涉及碳化硅(SiC) β伏打设备及其制造方法和应用。2.背景技术β伏打电池由半导体二极管构成,该半导体二极管暴露于从发射β射线的放射性同位素薄膜所发出的电子。这些电子穿透半导体材料,并通过不同的离子化过程生成电子-空穴对,它们在内部形成的耗散层电场上被收集,导致具有净功率的电流输出。由于电子在只有几微米的小的吸收深度内被吸收,要求被暴露的半导体有足够大的表面积,同时保持高的收集效率,以...
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