技术编号：6781690
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及以相变化基础存储材料为主的高密度存储装置，包含 硫属化物基础材料与其它可编程电阻材料，以及制造此类装置的方法。背景技术以相变化为基础的存储材料被广泛地运用于读写光盘片中。而这 些材料包含有至少两种固态相，包含如一大部分为非晶态的固态相， 以及一大体上为结晶态的固态相。激光脉冲用于读写光盘片中，以在 二种相中切换，并读取此种材料在相变化之后的光学性质。以相变化材料为基础的存储器材料，如硫属化物材料及其类似材 料，也可以通过施加合适于集成电路操作的电...
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