技术编号:6782875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于以相变化为基础的存储材料的高密度存储装置,包含 以硫属化物为基础的材料及其它材料,以及用来制造该类装置的方法。背景技术以相变化为基础的存储材料被广泛地运用于读写光盘片中。而这些材 料包括有至少两种固态相,包括如一大部分为非晶态的固态相,以及一大 体上为结晶态的固态相。激光脉冲是用于读写光盘片中,以在二种相中切 换,并读取此种材料于相变化之后的光学性质。以相变化材料为基础的存储器材料,如硫属化物材料及其类似材料, 亦可以通过施加合适于集成电路操...
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