技术编号:6783136
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设计技术,具体而言,涉及半导体存储器的设计技 术,更具体而言,涉及用于处理模式寄存器设置(MRS)命令以确定动 态随M取存储器(DRAM)的工作模式的技术。背景技术通常,大多数半导体存储器件(包括DRAM)都应该确定满足系统 所要求的特性的工作模式,例如列地址选通(CAS)延时(CL)、突发长 度(BL)或突发类型(BT)等。当输入MRS命令时,基于施加到地址 引脚的MRS代码来确定工作模式。MRS代码由l位或多位的地址的组合构成。例如,使...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。