技术编号：6784284
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子开关领域，更特别地，它涉及适于在CMOS工艺范围内实施的电子开关。尤其是，本发明涉及在其端子上接受与CMOS工艺相关的超过最大栅氧化层和/或结击穿电压的电子CMOS开关的领域。背景技术 在大量的电子设备和应用中使用电子接通/断开开关。例如，由于与其它实施工艺相比CMOS工艺所提供的许多优点，因此广泛地使用CMOS互补浮动开关。然而，CMOS工艺经受着固有的、即通常限制CMOS电路的可操作端子电压范围的最大栅氧化层和/或结击穿电压的影响。在现代...
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