技术编号：6787224
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体结构，更具体而言，涉及包括诸如铁氧体磁珠电感器的集成无源器件(Iro)的半导体结构及其形成方法。背景技术目前半导体制造中的主要趋势是具有垂直堆叠的芯片以及代替诸如引线接合和芯片边缘互连的其他互连技术的芯片间直接电连接的2.和3DIC芯片或管芯封装件的集成。这些IC芯片封装件中的管芯可以包括细(小)间距的垂直衬底通孔(TSV)，其可以用于与邻接的堆叠管芯形成直接电连接。TSV提供更高密度的互连件和更短的信号路径，建立形成具有更小形状因数和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。