技术编号:6787681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容涉及光电转换装置的导电体、绝缘体和半导体的叠层结构中的绝缘体。背景技术以互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器为代表的光电转换装置具有光电转换区段和用于处理来自光电转换区段的信号的信号处理区段。光电转换区段可由多个光电转换单元构成,每个光电转换单元包含金属-氧化物-半导体场效应晶体管(M0SFET)。日本专利公开N0.2007-317741和N0.2010-056515公开了对于光电转换单元的MOSFET使用氮化(nitrided)的栅绝缘膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。