技术编号:6789228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在Si基上制备InP基HEMT (高电子迁移率场效应晶体管)的方法,特别是一种将MOCVD和高深宽比沟槽限制技术(AspectRatio Trapping,ART)结合起来。背景技术高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),又称调制掺杂场效应晶体管(MODFET),是一种以衬底材料与另一种宽带隙材料形成的异质界面的二维电子气导电的场效应晶体管(FET)。因其沟道中无杂质,基本上不存在电离杂质散射对电子运动的影响,因此电子迁移率更高而得名。HEMT...
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