技术编号:6789591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明设计半导体,尤其涉及一种硅基半绝缘πι-v族材料的制备方法。背景技术在过去的几十多年中,以硅CMOS技术为基础的集成电路技术遵循摩尔定律通过缩小器件的特征尺寸来提高芯片的工作速度、增加集成度以及降低成本,集成电路的特征尺寸由微米尺度进化到纳米尺度,取得了巨大的经济效益与科学技术的重大进步。根据国际半导体产业技术发展蓝图(ITRS2009)的预测,2012年MPU的物理栅长将缩小到22纳米。然而,随着集成电路技术发展到22纳米技术节点及以下时,硅集成电...
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