技术编号:6790961
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法。背景技术众所周知,IGBT大多数情况下使用在感性负载条件下,需要反并联快恢复二极管(FRD) 一起使用,FRD在IGBT开关状态下提供续流通路,因此该FRD也称续流二极管。然而,基于P-1-N结构的FRD在关断后的反向恢复过程中容易出现电流和电压的振荡现象,特别是在大的关断电流变化率di/dt、大的电路寄生电感、低正向导通电流If及低结温的极端情况下尤为明显。试验表明,采用厚的N-基...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。