技术编号:6791783
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及高压功率半导体器件领域,具体来说,是一种具有高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺,适用于等离子平板显示设备、半桥驱动电路以及汽车生产领域等驱动芯片。背景技术随着高压集成电路的发展越来越迅速,工艺技术也在不断提高,在这种形势下横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor, LIGBT)问世了,其独特的工作机制,即MOS器件与双极型器件相结合的工作机制,在很大程度上降低了导通...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。