技术编号:6792957
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种键合后的晶圆,特别涉及一种含有内在停止层的键合晶圆。背景技术晶圆键合工艺被广泛应用于先进半导体封装,如BSI CMOS传感器,CEMES等,晶圆键合工艺中的问题是载片晶圆(晶圆背面)如何与器件晶圆(晶圆正面)进行对准,另外晶圆正面减薄和修边过程中是否有较好作用的停止层。现有的晶圆减薄和修边工艺中,一般采用两种方式,一是使用绝缘衬底上的硅技术利用氧化物作为硅蚀刻的停止层,但这种方式价格昂贵;另一种采用P型的外延硅晶圆,但这种方式需要特别的酸...
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