专利名称：一种键合后的晶圆的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种键合后的晶圆，特别涉及一种含有内在停止层的键合晶圆。
背景技术：
晶圆键合工艺被广泛应用于先进半导体封装，如BSI CMOS传感器，CEMES等，晶圆键合工艺中的问题是载片晶圆(晶圆背面)如何与器件晶圆(晶圆正面)进行对准，另外晶圆正面减薄和修边过程中是否有较好作用的停止层。现有的晶圆减薄和修边工艺中，一般采用两种方式，一是使用绝缘衬底上的硅技术利用氧化物作为硅蚀刻的停止层，但这种方式价格昂贵；另一种采用P型的外延硅晶圆，但这种方式需要特别的酸蚀刻硅，且硅蚀刻很难平稳的停在外延层。现有工艺的另一个问题是键合工艺载片晶圆与器件晶圆进行对准过程中，为了可以从背面看到器件晶圆的对准标识，需要另一套光罩打开背面切割道。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种键合后的晶圆，为晶圆的修边和减薄工艺提供内在的停止层，且当减薄至停止层后，对准标识会自动的显现在背面的切割道上。本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种键合后的晶圆，其特征在于，包括载片晶圆和器件晶圆，所述器件晶圆包括硅衬底和介质层，所述介质层淀积在硅衬底上，所述器件晶圆的介质层所在的那一面与载片晶圆键合连接，所述硅衬底中分别内嵌有停止层和对准标识。在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进:进一步，所述停止层为氧化物。进一步，停止层与所述对准标识在硅衬底中内嵌的深度相同。本实用新型的有益效果是:本实用新型为晶圆的修边和减薄工艺提供了内在的停止层，且当减薄至停止层后，对准标识会自动的显现在背面的切割道上。
图1为本实用新型键合后的晶圆结构图。附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、载片晶圆，2、介质层,3、娃衬底,4、器件晶圆,5、停止层,6、对准标识。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。如图1所不，一种键合后的晶圆，包括载片晶圆I和器件晶圆4,器件晶圆4包括娃衬底3和介质层2，介质层2淀积在硅衬底3上，器件晶圆4的介质层所在的那一面与载片晶圆I键合连接，硅衬底3中分别内嵌有停止层5和对准标识6。在键合过程中，先制作一个含有内在CMP研磨垫和对准标识的器件晶圆(晶圆正面)，然后将载片晶圆与器件晶圆键合连接。在晶圆减薄和修边工艺中，把CMP研磨垫作为停止层，对准标识用于载片晶圆与器件晶圆键合连接中的对准。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内 。
权利要求1.一种键合后的晶圆，其特征在于，包括载片晶圆和器件晶圆，所述器件晶圆包括硅衬底和介质层，所述介质层淀积在硅衬底上，所述器件晶圆的介质层所在的那一面与载片晶圆键合连接，所述硅衬底中分别内嵌有停止层和对准标识。
2.根据权利要求1所述一种键合后的晶圆，其特征在于，所述停止层为氧化物层。
3.根据权利要求1或2所述一种键合后的晶圆，其特征在于，所述停止层与所述对准标识在硅衬底中内嵌的 深度相同。
专利摘要本实用新型涉及一种键合后的晶圆，其特征在于，包括载片晶圆和器件晶圆，所述器件晶圆包括硅衬底和介质层，所述介质层淀积在硅衬底上，所述器件晶圆的介质层所在的那一面与载片晶圆键合连接，所述硅衬底中分别内嵌有停止层和对准标识，所述停止层为氧化物，所述停止层与所述对准标识在硅衬底中内嵌的深度相同。本实用新型为晶圆的修边和减薄工艺提供了内在的停止层，且当减薄至停止层后，对准标识会自动的显现在背面的切割道上。
文档编号H01L23/544GK203085526SQ20132001638
公开日2013年7月24日 申请日期2013年1月11日 优先权日2013年1月11日
发明者李平 申请人:陆伟