技术编号:6796182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置[0001]本实用新型涉及一种半导体领域,尤其涉及一种半导体装置。背景技术[0002]在形成有条纹状的槽栅的槽栅型IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)中,多个栅电极在栅宽度方向上以一定的间隔排列,发射极区域的表面的一部分在栅较长方向上呈条状露出,以使从上面看在栅宽度方向上夹住栅电极。[0003]在该表面露出的发射极区域上电连接有发射极电极(发射极配线)。发射极电极形成于夹在其与栅电极...
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