技术编号:6800267
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种新颖的光敏器件,特别是一种带N形隔离环的紫外增强反型层型光电二极管。为探测紫外光,已有多种类型的硅光探测器,如肖特基势垒型、浅扩散结型、反型层型、N+-N-P型、浅砷扩散型等等。反型层型器件是这样制作的在P型硅基片上热生长一层二氧化硅膜,利用二氧化硅-硅系统中,二氧化硅层内靠近表面的薄层范围内存在固定正电荷的感应作用,在P型硅表面感应出等量的负电荷,而形成厚度仅为几十埃至几百埃的反型层。再在该反型层(即N型区)的局部区域上,用扩N型杂质的...
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