专利名称：紫外增强反型层型光电二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种新颖的光敏器件，特别是一种带N形隔离环的紫外增强反型层型光电二极管。
为探测紫外光，已有多种类型的硅光探测器，如肖特基势垒型、浅扩散结型、反型层型、N＋－N－P型、浅砷扩散型等等。反型层型器件是这样制作的在P型硅基片上热生长一层二氧化硅膜，利用二氧化硅－硅系统中，二氧化硅层内靠近表面的薄层范围内存在固定正电荷的感应作用，在P型硅表面感应出等量的负电荷，而形成厚度仅为几十埃至几百埃的反型层。再在该反型层(即N型区)的局部区域上，用扩N型杂质的方法制作条状或点状N＋区，作为反型层(即N型区)的引出电极，而在P型区域制作欧姆接触，作为P型区的引出电极。从而制得一个光电二极管。但是，由于工作区以外的区域也会形成反型层，且一直延伸到硅片边界，所以上述器件有击穿电压低、反向漏电流大，可靠性差等缺点。
为了克服这种缺点，在本实用新型以前，人们采用过以下两类办法。一类办法是，在工作区以外，对P型基片的表面实施高浓度P型杂质扩散，使得虽有正电荷存在，却不能在工作区以外感应出反型层来，另一类办法是，在工作区以外，去掉含正电荷多的二氧化硅层，重新制作一层含正电荷很少的二氧化硅层，从而使得不会在工作区以外感生出反型层来。实践表明，实施上述办法，工艺较烦，效果重复性较差，性能不大稳定。
本实用新型的目的，是对反型层型硅光探测器的结构作出改进。具体说，是容许工作区以外也存在反型层，但使该反型层的存在，不影响工作区的工作。
本实用新型的任务是以下述方式完成的。在工作区边上，通过扩散N型杂质形成一个围绕工作区的封闭的环形条状N＋1区，作为工作区的引出电极，这个环所围的区域是工作区；在N＋1环以外，再通过扩散N型杂质形成一个包围N＋1环，但不与N＋1环相连接的封闭的环形条状N＋2区；使用时，P型基片接电源负极，N＋1通过负载电阻再接到电源正极，N＋2区则直接与电源正极相连。在这种使用情况下，N＋1区与N＋2区之间的区域将呈现高阻抗，把工作区与N＋2区以外的非工作区隔离开来，非工作区的漏电流不会进入工作区电流回路中来。从而，既使工作区有极浅的感应结，又有小的漏电流和高的稳定性。且制作简便。
附
图1是管芯结构的正视图。图中1表示工作区。
附图2是管芯结构的剖面图。图中2表示二氧化硅，3表示反型层，4表示铝电极。
实施例。采用电阻率为1欧姆·厘米以上的P型硅单晶作为基片。按常规平面工艺进行抛光、热生长氧化层，厚度约4000埃，光刻出如附图1的N＋1和N＋2图形，进行浓度为5×1019(厘米)－3的磷扩散形成N＋1区和N＋2区，然后刻引线孔、蒸铝、光刻、形成N＋1区、N＋2区和P区底面欧姆接触，就完成了管芯制作。再将管芯烧结在管座上，并分别从N＋1区、N＋2区和底面P＋区引出共三个引出线，最后戴上有透紫外光性能好的透光窗口的管帽。
权利要求1.一种紫外增强反型层型光电二极管，其特征在于，用两个封闭而互不相连的环状N+扩散区把工作区的反型层区域包围起来，把与工作区相连的N+区通过负载电阻再与电源正极相连，另一个N+区则直接与电源正极相连，P区与电源负极相连。
专利摘要一种改进的紫外增强反型层型光电二极管，其主要结构是用两个封闭而互不相连的环状N
文档编号H01L31/10GK2077593SQ9020089
公开日1991年5月22日 申请日期1990年1月20日 优先权日1990年1月20日
发明者张君和 申请人:武汉大学