一种光电二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体领域，具体是一种光电二极管。
【背景技术】
[0002]光电二极管用于将光信号转换为电信号。光电二极管在反向电压作用下工作，在光照时产生电流，无光照时和普通二极管一样，反向电流很小，称为暗电流，有光照时，反向电流增大到几十微安，称为亮电流，光照强度越大，反向电流越大。目前市场上光电二极管效率不高，结构较为复杂，光电二极管在工作时，容易受到电磁辐射的干扰，影响电信号输出的稳定性。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种光电二极管，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]—种光电二极管，包括低掺杂N型正方形晶片、高掺杂的P型(P+)硅层、高掺杂的N型(N+)硅环、N型(N-)硅层、缓冲层、N-AlGaAs布拉格反射层、P-AlGaAs布拉格反射层、氮化硅硅膜和磁屏蔽圈，所述的低掺杂N型正方形晶片上设有圆角正方体的高掺杂的P型(P+)硅层，低掺杂N型正方形晶片底部设有缓冲层，低掺杂N型正方形晶片与高掺杂的P型(P+)硅层之间设有N-AlGaAs布拉格反射层，高掺杂的P型(P+)硅层顶部设有P-AlGaAs布拉格反射层，低掺杂N型长方形晶片的周边设有高掺杂的N型(N+)硅环，高掺杂的N型(N+)硅环和高掺杂P型(P+)硅层之间隔着N型(N-)硅层，硅晶片上表面设有氮化硅硅膜，高掺杂的P型(P+)硅上表面中心部位的氮化硅膜上的开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL膜作为阳极，金属AL膜厚度为1.8-2.2 μ m，N型(N-)硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极，金属Au膜厚度为0.2 μ m，氮化娃娃膜外围设有磁屏蔽圈。
[0006]作为本实用新型进一步的方案:所述的高掺杂的P型(P+)硅层厚度为200±5 μm0
[0007]作为本实用新型再进一步的方案:所述的高掺杂的N型(N+)硅环厚度为200±5 μm0
[0008]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型采用低掺杂N型正方形晶片作为基片，提高了反向击穿电压，采用高掺杂的N型(N+)硅环减少暗电流，两个布拉格反射层构成谐振腔，对光电进行调整，磁屏蔽圈减少外部的电磁干扰，确保电信号输出的稳定性。
【附图说明】
[0009]图1为一种光电二极管的结构示意图。
[0010]图中:1、低掺杂N型正方形晶片，2、高掺杂的P型(P+)硅层，3、高掺杂的N型(N+)硅环，4、N型(N-)硅层，5、缓冲层，6、N-AlGaAs布拉格反射层，7、P-AlGaAs布拉格反射层，
8、氮化娃娃膜，9、接触孔，10、阳极，11、阴极，12、磁屏蔽圈。
【具体实施方式】
[0011 ] 下面结合【具体实施方式】对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0012]请参阅图1，一种光电二极管，包括低掺杂N型正方形晶片1、高掺杂的P型(P+)硅层2、高掺杂的N型(N+)硅环3、N型(N-)硅层4、缓冲层5、N-AlGaAs布拉格反射层6、P-AlGaAs布拉格反射层7、氮化娃娃膜8和磁屏蔽圈12，所述的低掺杂N型正方形晶片I上设有圆角正方体的高掺杂的P型(P+)硅层2，高掺杂的P型(P+)硅层2厚度为200±5μπι，低掺杂N型正方形晶片I底部设有缓冲层5，低掺杂N型正方形晶片I与高掺杂的P型(Ρ+)硅层2之间设有N-AlGaAs布拉格反射层6，高掺杂的P型(Ρ+)硅层2顶部设有P-AlGaAs布拉格反射层7，低掺杂N型长方形晶片I的周边设有高掺杂的N型(Ν+)硅环3，高掺杂的N型(Ν+)硅环3厚度为200 ± 5 μ m，高掺杂的N型(N+)硅环3和高掺杂P型(P+)硅层2之间隔着N型(N-)硅层4，硅晶片上表面设有氮化硅硅膜8，高掺杂的P型(P+)硅2上表面中心部位的氮化硅膜8上的开有圆形接触孔9，接触孔9内贴附有金属AL膜作为阳极10，金属AL膜厚度为1.8-2.2 μ m，N型(N-)硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极11，金属Au膜厚度为0.2 μm，氮化娃娃膜8外围设有磁屏蔽圈12。
[0013]本实用新型的工作原理是:本实用新型采用低掺杂N型正方形晶片作为基片，提高了反向击穿电压，采用高掺杂的N型(N+)硅环减少暗电流，两个布拉格反射层构成谐振腔，对光电进行调整，磁屏蔽圈减少外部的电磁干扰，确保电信号输出的稳定性。
[0014]上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。
【主权项】
1.一种光电二极管，包括低掺杂N型正方形晶片(I)、高掺杂的P型(P+)硅层(2)、高掺杂的N型(N+)硅环(3)、N型(N-)硅层(4)、缓冲层(5)、N-AlGaAs布拉格反射层(6)、P-AlGaAs布拉格反射层(7)、氮化娃娃膜(8)和磁屏蔽圈(12)，其特征在于，所述的低掺杂N型正方形晶片(I)上设有圆角正方体的高掺杂的P型(P+)硅层(2)，低掺杂N型正方形晶片⑴底部设有缓冲层(5)，低掺杂N型正方形晶片⑴与高掺杂的P型(P+)硅层(2)之间设有N-AlGaAs布拉格反射层(6)，高掺杂的P型(P+)硅层(2)顶部设有P-AlGaAs布拉格反射层(7)，低掺杂N型长方形晶片⑴的周边设有高掺杂的N型(N+)硅环(3)，高掺杂的N型(N+)硅环(3)和高掺杂P型(P+)硅层(2)之间隔着N型(N-)硅层(4)，硅晶片上表面设有氮化硅硅膜(8)，高掺杂的P型(P+)硅(2)上表面中心部位的氮化硅膜(8)上的开有圆形接触孔(9)，接触孔(9)内贴附有金属AL膜作为阳极(10)，金属AL膜厚度为1.8-2.2 μπι，N型(N-)硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极(11)，金属Au膜厚度为0.2μηι，氮化娃娃膜(8)外围设有磁屏蔽圈(12)。2.根据权利要求1所述的一种光电二极管，其特征在于，所述的高掺杂的P型(Ρ+)硅层(2)厚度为200±5μπι。3.根据权利要求1所述的一种光电二极管，其特征在于，所述的高掺杂的N型(Ν+)硅环(3)厚度为200±5μπι。
【专利摘要】本实用新型公开了一种光电二极管，包括低掺杂N型正方形晶片、高掺杂的P型(P+)硅层、高掺杂的N型(N+)硅环、N型(N-)硅层、缓冲层、N-AlGaAs布拉格反射层、P-AlGaAs布拉格反射层、氮化硅硅膜和磁屏蔽圈，所述的低掺杂N型正方形晶片上设有圆角正方体的高掺杂的P型(P+)硅层，P型(P+)硅层两侧设有布拉格反射层，N型长方形晶片的周边设有高掺杂的N型(N+)硅环，硅晶片上表面设有氮化硅硅膜，氮化硅硅膜外围设有磁屏蔽圈。本实用新型采用低掺杂N型正方形晶片作为基片，提高了反向击穿电压，采用高掺杂的N型(N+)硅环减少暗电流，两个布拉格反射层构成谐振腔，对光电进行调整，磁屏蔽圈减少外部的电磁干扰，确保电信号输出的稳定性。
【IPC分类】H01L31/0352, H01L31/0288, H01L31/0232, H01L31/02
【公开号】CN204732420
【申请号】CN201520367734
【发明人】于雪
【申请人】天津钜远科技发展有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年6月1日