显示屏电容的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及显示屏技术领域，特别是涉及显示屏电容。
【背景技术】
[0002] AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极 体）显示屏LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶娃技术）背板中像素电路部分 一般通过加大驱动管TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管）的长度来减少沟道调制效 应、降低漏电流、减轻DIBL(DrainInducedBarrierLowering，漏端引入的势皇降低）效 应、同时增加Data电压范围；通常也在有限范围内加大电容值来降低漏电流与防止寄生电 容的干扰，一般来说，电容值与电容面积成正比，因此增大容值将引起电容面积增大。但由 于当前市场对显示屏PPI(PixelsPerInch，每英寸像素）、分辨率的要求越来越高，使得子 像素电路尺寸的面积也就越来越小，而照目前已有的产品可以看出，电容与驱动管在像素 电路中占相当大的空间，也就是说，显示屏高PPI和高分辨率要求电路中所包含的电容面 积以及驱动管尺寸相应的减少。因此，现有的AMOLED显示屏的电容结构无法解决为提高显 示效果而增大电容容值和增加驱动管长度，同时为提高PPI和分辨率而减小电容面积和驱 动管长度之间的矛盾。 【实用新型内容】
[0003] 基于此，有必要针对现有AMOLED显示屏的电容无法满足增加容值和驱动管长度 以提高显示效果，同时减小电容面积和驱动管长度以提高分辨率的缺陷，提供一种有效提 高显示效果，电容面积得以减小，且驱动管长度增加，以使分辨率得以提高的显示屏电容。
[0004] -种显不屏电容，包括：
[0005] 依次连接的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和第三电极层，所 述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层两两之间部分叠合，所述第一电极层为 多晶硅层，所述第三电极层上连接有第三绝缘层，所述第三绝缘层上连接有连接层，还包括 第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝 缘层，所述连接层通过所述第一通孔与所述第一电极层连接，所述第二通孔贯穿所述第三 绝缘层，所述连接层通过所述第二通孔与所述第三电极层连接。
[0006] 在一个实施例中，还包括第三通孔，所述第三通孔贯穿所述第二绝缘层和所述第 三绝缘层，所述连接层通过所述第三通孔与所述第二电极层连接。
[0007] 在一个实施例中，所述连接层为金属层。
[0008] 在一个实施例中，所述连接层为钛铝合金层。
[0009] 在一个实施例中，所述连接层为钼铝合金层。
[0010] 在一个实施例中，所述第二电极层为金属层。
[0011] 在一个实施例中，所述第二电极层为钼层。
[0012] 在一个实施例中，所述第三电极层为金属层。
[0013] 在一个实施例中，所述第三电极层为钼层。
[0014] 在一个实施例中，所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层的形状 相异设置。
[0015] 上述显示屏电容，以多晶硅层作为电容的电极层，并通过多晶硅层分别与第二电 极层和第三电极层组成电容，增加了电容容值，而位于多晶硅层同一层的多晶硅驱动管的 长度可根据多晶硅层进行调整长度，使得驱动管长度得以增加，有效提高了显示效果，同 时，在满足显示效果的电容值一定时，电容的面积更小，有效提高了显示屏的分辨率。
【附图说明】
[0016] 图1为本实用新型一个实施例的显示屏电容的剖面示意图；
[0017] 图2为本实用新型一个实施例的显示屏电容的结构示意图；
[0018] 图3为图2的透视效果示意图。
【具体实施方式】
[0019] 为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描 述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以以许多不同的形式 来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用 新型的公开内容理解的更加透彻全面。
[0020] 需要说明的是，当元件被称为"设置于"另一个元件，它可以直接在另一个元件上 或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是"连接"另一个元件，它可以是直接连接 到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语"垂直的"、"水平的"、"左"、 "右"以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0021] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领 域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为 了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语"及/或" 包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0022] 如图1所示，其为本实用新型一较佳实施例的显示屏电容10,包括：
[0023] 依次连接的第一电极层110、第一绝缘层510、第二电极层120、第二绝缘层520和 第三电极层130,如图2、图3所示，所述第一电极层110、第二电极层120和所述第三电极层 130两两部分叠合，所述第一电极层110为多晶硅层，所述第三电极层130上连接有第三绝 缘层530,所述第三绝缘层530上连接有连接层200,还包括第一通孔410和第二通孔420， 所述第一通孔410贯穿所述第一绝缘层510、所述第二绝缘层520和所述第三绝缘层530， 所述连接层200通过所述第一通孔410与所述第一电极层110连接，所述第二通孔420贯 穿所述第三绝缘层530,所述连接层200通过所述第二通孔420与所述第三电极层130连 接，这样，第一电极层110与第二电极层120组成第一电容，第三电极层130与第二电极层 120组成第二电容，第一电极层110和第三电极层130通过连接层200连接，使得第一电容 和第二电容并联，从而使得总的电容容值增加。
[0024] 例如，本实用新型的显示屏电容10制作方法为：依次沉积第一电极层110、第一绝 缘层510、第二电极层120、第二绝缘层520、第三电极层130和第三绝缘层530,且令第一 电极层110、第二电极层120和第三电极层130两两之间部分叠合，例如，所述第一电极层 110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130的形状相异设置，使得所述第一电极层 110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130至少部分地在竖直方向上错开，错开的 区域用于刻蚀通孔，如图2所示，第一电极层110、第二电极层120和第三电极层130具有 不同的沉积面积，且在竖直方向上部分错开