技术编号：6802381
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有低介电常数(低k值)膜的半导体装置，该膜的介电常数k是3.0或更低。本发明更具体涉及使用该低k值膜作为层间膜的LSI(大规模集成电路)。背景技术 近年来人们试图在使用双层铜(Cu)金属镶嵌布线(dual copper damascenewiring)的LSI领域中采用低k值膜作为层间膜。以下将参见图12说明一种采用低k值膜作为层间膜来制造具有双铜(Cu)金属镶嵌布线的LSI芯片10。首先，将第一层间膜12沉积在硅(Si)衬底11上。在第一层间...
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