技术编号:6807697
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法,尤其涉及,碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和该MOSFET的制造方法。背景技术 为获得大电流、高电压和低开态电阻,到目前为止,至少是部分地因为反型层中低的电子表面迁移率,垂直SiC功率MOSFET是不实际的。近来,一些工艺技术在横向MOSFET结构中得到发展,得到改善的表面电子迁移率。然而,功率MOSFET结构中可能涉及额外的工艺,包括,例如,在高于1500℃条件下退火,以激活P型掺...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。