技术编号:6809280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于高集成电路(或SRAM)的薄膜晶体管及其制造方法,更详细地说,涉及一种具有双沟道的薄膜晶体管。一般,薄膜晶体管(此后称之为TFT)的沟道由多晶硅层制成。一个晶体管只由一个沟道组成。这种常规的TFT用两种方法形成,其中的一种方法是顶栅工艺,而另一种是底栅工艺。下面将说明由底栅工艺所形成的TFT。首先,将用于TFT栅极的多晶硅层形成在氧化层上,并且把该多晶硅层按预定的尺寸刻成图形。一薄氧化层,形成在多晶硅层上,用作栅氧化层。为形成晶体管的沟道...
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