技术编号:6810126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光元件及其制造方法。背景技术 发光二极体或半导体雷射等发光元件所使用的材料及元件构造经过多年的发展,在元件内部的光电转换效率已渐渐接近理论上的极限。因此,为了获得更高亮度的元件,元件的光取出效率变得十分重要。例如,以AlGaInP混晶形成发光层部的发光元件,通过采用薄的AlGaInP(或GaInP)活性层被带隙(band gap)大的n型AlGaInP包覆层与p型AlGaInP包覆层夹住形成夹层状的双异质(double hetero)构造,可实...
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